 |
 |
 |
 |
|
 |
 |
224
принципов ввода-вывода информации, отсутствие механически перемещающихся узлов, высокая
долговечность и надежность хранения – вот те основные качества, которыми хотелось бы
наделить разрабатываемые долговременные запоминающие устройства.
Технологические возможности реализации высокой информационной плотности
Большинство моделей ЭВМ, от мини-ЭВМ до сложных вычислительных комплексов и систем,
содержат внешние запоминающие устройства, которые базируются в основном на магнитной
записи. Прогнозы специалистов показывают, что на ближайшую историческую перспективу
устройства магнитной записи останутся доминирующими на мировом рынке информационной
техники.
Себестоимость внешних запоминающих устройств по сравнению с себестоимостью других
устройств современных ЭВМ, относительно велика. Поэтому их совершенствование направлено, с
одной стороны, на снижение себестоимости, а с другой – на повышение качества записи и
воспроизведения информации.
С развитием средств вычислительной техники растет и будет расти спрос на запоминающие
устройства небольших размеров, способные хранить большой объем информации. В этой связи
проблема повышения информационной плотности записи – одна из важнейших в современных
запоминающих устройствах большой емкости.
В запоминающих устройствах на подвижном магнитном носителе, где основное – это
накопление информации, фактором первостепенной важности является поверхностная
информационная плотность записи, определяемая количеством информации, приходящейся на
единицу площади поверхности рабочего слоя носителя записи. Поверхностная информационная
плотность записи зависит от плотности записи вдоль одной дорожки (продольной плотности) и
числа самих дорожек на единицу длины в поперечном относительно движения носителя
направлении (поперечной плотности). Теоретически доказано, что продольная плотность записи
информации на магнитном носителе может быть равной примерно 20000 бит/мм.
Если в настоящее время в лучших накопителях на магнитных дисках реализована продольная
плотность около 5000 бит/мм, то становится понятным, какие возможности еще не реализованы.
Магнитная запись с перпендикулярным намагничиванием, когда перемагничивание рабочего
слоя осуществляется в его перпендикулярной плоскости, обеспечивает существенное повышение
информационной плотности записи. Так, в лабораторных образцах накопителей уже достигнута
продольная плотность, составляющая более 10 000 бит/мм.
Оценим плотность записи, которую можно реализовать, используя элементную базу,
необходимую для магнитной записи. Современной технологии вполне под силу изготовление
магнитных элементов шириной около 1 мкм. Толщина такого работоспособного элемента может
быть гораздо меньше 0,1 мкм (известны магнитные преобразователи с магнитным элементом
толщиной менее 0,1 мкм, позволяющие получить продольную плотность записи более 10000
бит/мм). Следовательно, площадь поперечного сечения магнитного элемента, который может быть
рабочим элементом основного полюса магнитной головки для записи составляет 0,1 мкм².
Минимальный диаметр светового пятна в оптических запоминающих устройствах равен примерно
1 мкм, что соответствует площади, приблизительно равной 1 мкм². Теперь становится понятным,
что реальная элементная база при магнитной записи позволяет реализовать информационную
плотность на порядок выше предельно возможной плотности в оптических накопителях.
Современная технология позволяет изготавливать тонкопленочный элемент, ширина либо
длина которого составляет примерно 1 мкм, что более чем на порядок меньше размера элемента
серийно изготавливаемых магниторезистивных преобразователей. Существенное уменьшение
толщины магниторезистивного элемента даже с использованием самых перспективных
технологических приемов сопряжено с нарушением однородности по толщине, что влечет за
собой изменение и электрических, и магнитных свойств. Технология сегодняшнего дня позволяет
изготавливать магниторезистивный элемент, минимальное поперечное сечение которого
составляет 0,030 мкм², что в принципе дает возможность воспроизвести информацию, записанную
с поверхностной плотностью около 33 бит/мкм². Такая плотность приблизительно на порядок
меньше соответствующей предельной плотности, к которой допускает приблизиться реальный
магнитный носитель – с кобальт-хромовым рабочим слоем (напомним: она составляет 400
бит/мкм²). Если принять во внимание технологические возможности ближайшего будущего, когда
линейный размер элемента уменьшится примерно на порядок, то магниторезистивный